Компания Samsung выпустила обновленный модуль памяти на 1 Тб

Следующее поколение смартфонов Samsung получит 1 ТБ встроенной памяти

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области разработки передовых технологий памяти, начинает массовое производство первого в отрасли встроенного модуля флеш-памяти Embedded Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) емкостью 1 ТБ, предназначенного для использования в мобильных устройствах следующего поколения. Спустя всего четыре года после выхода своего первого UFS-решения, eUFS емкостью 128 ГБ, Samsung преодолела терабайтный порог объема памяти смартфона. Вскоре владельцам смартфонов будет доступна память, сопоставимая с объемом памяти на ноутбуке премиум-класса, без необходимости приобретать дополнительные карты памяти для своих телефонов.

«Встроенный модуль eUFC емкостью 1ТБ будет критически важным для обеспечения опыта использования мобильных устройств следующего поколения как на ноутбуке», – прокомментировал Чеол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу подразделения памяти в Samsung Electronics. – «Samsung стремится обеспечить наиболее надежную цепочку поставок и достаточные объемы производства для будущих флагманских смартфонов с целью ускорения роста мирового рынка мобильных устройств».

eUFS емкостью 1 ТБ также обладает исключительной скоростью, что позволяет передавать большие объемы мультимедийного контента в кратчайшее время. Новый накопитель обеспечивает скорость до 1000 Мб/с – вдвое больше, чем стандартный 2,5-дюймовый твердотельный накопитель SATA (SSD). Это означает, что видео в формате Full HD размером 5 ГБ можно переписать на NVMe SSD всего за пять секунд, что в 10 раз быстрее, чем позволяет обычная карта microSD. Скорость случайного чтения по сравнению с версией 512 ГБ увеличилась на 38% и достигла 58 000 IOPS. Произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее, чем позволяют высокопроизводительные карты microSD (100 IOPS), – ее скорость может достигать 50 000 IOPS. Это позволяет осуществлять высокоскоростную непрерывную съемку со скоростью 960 кадров в секунду, благодаря чему владельцы флагманских устройств смогут в полной мере использовать все возможности многокамерной съемки.

Samsung намерена расширять производство своих V-NAND пятого поколения емкостью 512 ГБ на заводе в городе Пхёнтэк, Корея, в первой половине 2020 года, чтобы полностью удовлетворить ожидаемый высокий спрос на eUFS емкостью 1 ТБ со стороны производителей мобильных устройств по всему миру.

* Справка: Сравнение производительности памяти смартфонов:

ПамятьПоследовательная скорость записиПроизвольная скорость записиПоследовательная скорость чтенияПроизвольная скорость чтения
Samsung

1ТБ eUFS 2.1

Samsung выпустила память 1 ТБ для смартфонов

Не секрет, что южнокорейская корпорация Samsung всегда делала все возможное для того, чтобы выпускать на рынок как можно больше различных электронных вещей, начиная от смартфонов и заканчивая разного рода компонентами для компьютеров. Сегодня, 30 января 2020 года, случилось знаменательное событие, потому как данный производитель электроники выпустил память 1 ТБ для смартфонов, устанавливать которую в свои мобильные устройства могут все бренды. Речь идет о самом передовом в индустрии компоненте флеш-памяти.

Накопитель от компании Samsung работает на базе технологии eUFS, обладая емкостью 1 ТБ (1024 ГБ), чего более чем достаточно для хранения видеороликов, музыки, приложений, фотографий, а также любого другого контента. Основной для данного накопителя стала флеш-память V-NAND пятого поколения, что позволяет ему работать быстрее, чем любые карты памяти формата microSD, в том числе самые современные. При последовательном чтении данных скорость передачи информации достигает 1000 МБ/с, то есть 1 ГБ/с.

Такая пропускная способность в 2 – 3 раза выше, чем у SATA III SSD, где она находится на уровне 20 МБ/с. Как уверяет производитель электроники, на создание накопителя нового поколения были потрачено несколько лет непрерывной работы, а также огромная сумма денег. Во время анонса нового компонента компания Samsung гордо заявила, что это первая в мире флеш-память для смартфонов, которая может вместить в себя целых 300 видеороликов в разрешении 4K, длительностью 10 минут каждый.

Помимо флеш-памяти на 1 ТБ, компания Samsung напомнила, что в смартфоны также можно будет установить карту памяти microSD, максимальный объем которых в настоящее время достигает 512 ГБ. Такой емкости совершенно точно хватит даже самому требовательному пользователю. Сколько стоит новый компонент для производителей мобильных устройств, к сожалению, не сообщается, но речь идет точно о сумме в не менее чем $200 (13 500 рублей) за штуку. Первые модели телефонов с такой особенностью должны выйти на рынок уже в ближайшие несколько месяцев. Вполне возможно, что чем-то подобным сможет порадовать даже Galaxy S10, анонс которого случится 20 февраля.

Ранее удалось выяснить, что работающий Samsung Galaxy S10 на живой фотографии выглядит великолепно.

До 22 декабря включительно у всех желающих есть возможность совершенно бесплатно получить спортивный браслет Xiaomi Mi Band 4, потратив на это всего 1 минуту своего личного времени.

Присоединяйтесь к нам в Twitter, Facebook, ВКонтакте, YouTube, Google+ и RSS чтобы быть в курсе последних новостей из мира технологий будущего.

В новых смартфонах Samsung будет 1 ТБ памяти

Компания разработала первый мобильный чип по технологии eUFS на 1 ТБ, готовый к массовому производству. Первой моделью с терабайтом памяти на одном чипе может стать Galaxy S10.

Новый чип создан с теми же размерами, что и у предыдущей модели Samsung объемом 512 ГБ. Скорость чтения блока памяти до 1000 мегабайт в секунду. В Samsung говорят, что это в 10 раз больше, чем у обычной карты microSD и вдвое больше, чем обеспечивает стандартный 2,5-дюймовый твердотельный накопитель (SSD) с интерфейсом SATA.

«Мы ожидаем, что чип сыграет решающую роль в том, чтобы пользователи будущих устройств по функциональности больше ощущали их как ноутбуки», — комментирует вице-президент по продажам и маркетингу подразделения памяти Samsung Чеол Чой.

Также чипы позволят осуществлять высокоскоростную непрерывную съемку со скоростью 960 кадров в секунду, сообщается в блоге компании. Происходит это за счет того, что произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее (50 000 IOPS), чем позволяют даже высокопроизводительные карты microSD.

Чипы eUFS от Samsung быстро эволюционировали: за четыре года объем их памяти вырос со 128 ГБ до 1 ТБ.

Компания уже в прошлом году продвигала Galaxy Note 9 как терабайтное устройство, но с оговорками. Внутренней памяти там было 512 ГБ, то есть терабайт нужно было добирать покупкой дополнительной флешки на еще на 512 ГБ.

Ходят слухи, что уже линейка S10 получит версию на 1 ТБ. Также флагманская модель получит 12 ГБ оперативной памяти.

Осенью Samsung показала новую версию чипсета Exynos — 9820. Его будут устанавливать на флагманские модели марки, так что, скорее всего, он составит компанию новому блоку памяти. Чипсет производят по 8-нм техпроцессу FinFET. На одной микросхеме размещен специализированный процессор для обработки ИИ-алгоритмов, два высокопроизводительных ядра ARM Cortex-A75 и четыре энергоэффективных Cortex-A55.

До этого Samsung добилась другого прорыва в производстве микроэлектроники. Компания начала производство микропроцессоров по технологии EUV — фотолитографии в глубоком ультрафиолете. Ученые пытались применить ее на протяжении 30 лет, теперь она приблизила южнокорейского производителя к 3-нм техпроцессу.

Модули DDR4 SDRAM на чипах Samsung A-die начали появляться в продаже

Весной стало известно, что компания Samsung прекращает производство своих популярных чипов DDR4-памяти B-die. Они выпускались по устаревшему 20-нм техпроцессу, поэтому южнокорейская компания захотела заменить их на новые микросхемы M-die и A-die, производимые с применением более «тонких» литографических норм. И хотя чипы B-die пока ещё не окончательно ушли с рынка, в продажу постепенно начинают поступать модули памяти, построенные на микросхемах Samsung нового поколения. Первые модули на чипах M-die добрались до розницы в июне, а на днях в продаже была замечена память, где применяются наиболее прогрессивные на данный момент микросхемы Samsung A-die.

Модули DDR4-памяти, в основе которых используются чипы Samsung B-die, особенно популярны среди энтузиастов за свой высокий частотный потенциал и хорошие возможности разгона при увеличении напряжения питания. По этой причине на таких чипах основывается подавляющее число оверклокерских комплектов памяти. Однако те модули на базе чипов Samsung B-die, которые всё ещё поставляются на рынок в настоящее время, изготавливаются из складских остатков, поскольку выпуск чипов DDR4 по 20-нм техпроцессу Samsung прекратила в первом квартале этого года.

На смену им рано или поздно придут более новые микросхемы. Для производства чипов памяти M-die компания Samsung применяет техпроцесс класса 1y-нм (второго поколения), в то время как в производстве микросхем A-die используется ещё более современная технология с литографическими нормами класса 1z-нм (третьего поколения). Дополнительным преимуществом новых чипов выступает их увеличенная ёмкость, достигающая 16 Гбит. Это позволяет выпускать на их основе односторонние модули памяти с ёмкостью 16 Гбайт и двухсторонние — ёмкостью 32 Гбайт, что с использованием микросхем B-die было попросту невозможно.

Первые модули с наиболее современными микросхемами A-die, которые появились в европейской рознице — Samsung M378A4G43AB2-CVF. Это — произведённые самой Samsung обычные небуферизованные модули ёмкостью 32 Гбайт, ориентированные на режим DDR4-2933 с таймингами 21-21-21 и рабочим напряжением 1,2 В. Однако нужно иметь в виду, что такие достаточно высокие задержки соответствуют спецификации JEDEC и не отражают разгонных возможностей модулей.

Например, 32-гигабайтные модули памяти Samsung M378A4G43MB1-CTD, которые основываются на чипах M-die и появились в продаже тремя месяцами ранее, при номинальной частоте DDR4-2666 и таймингах 19-19-19 легко разгоняются до состояния DDR4-3600. Вполне логично предположить, что более совершенные модули Samsung M378A4G43AB2-CVF будут разгоняться как минимум не хуже.

Модули памяти Samsung M378A4G43AB2-CVF на чипах A-die объёмом 32 Гбайт доступны в Европе по цене порядка €135 без учёта НДС.

Источники:
http://akket.com/raznoe/150427-samsung-vypustila-pamyat-1-tb-dlya-smartfonov.html
http://hightech.plus/2019/01/31/v-novih-smartfonah-samsung-budet-1-tb-pamyati
http://3dnews.ru/993698
http://xakep.ru/2019/10/18/samsung-fingerprint-bug/

Ссылка на основную публикацию